3035 | М55157 | приемно-усилительный модуль 2-х сантиметрового диапазона длин волн обеспечивающий защиту входа приемника от синхронных и несинхронных сигналов мощностью до 12 кВт в импульсе с дополнительной регулировкой усиления в режиме приема. | Гибридная технологии на основе GaAs СВЧ транзисторов | АО ЭНПО СПЭЛС/НИИП | ЗАО «Светлана-Электронприбор» | 7И1 | I кв. 2016г |
3034 | 5563ТХ024 | набор аналоговых IP блоков реализованных в тестовом кристалле | КМОП | АО ЭНПО СПЭЛС | ОАО «НИИМЭ и Микрон» | ОИН | I кв. 2016г |
3033 | 1375НМ024 | емкостные генераторы энергии (микрогенераторы) | - | АО ЭНПО СПЭЛС/НИИП | АО «НЗПП с ОКБ» Россия | 7И6(7И8)7И7(7С4) | I кв. 2016г |
3032 | М55157 | приемно-усилительный модуль 2-х сантиметрового диапазона длин волн | Гибридная на основе GaAs СВЧ транзисторов | НИИП | ЗАО «Светлана-Электронприбор» | 7И1/7И7 | I кв. 2016г |
3031 | ППЗУ (ЭО) | экспериментальные образцы запоминающего устройства (ЗУ) информационной емкостью 4 Мбит с организацией 512Кх8 (далее – ЭО ЗУ) | КМОП КНИ | АО ЭНПО СПЭЛС | ОАО «НИИМЭ и Микрон» | 7И6(7И8)7И7 | I кв. 2016г |
3030 | 1665РТ1У | микросхемы запоминающего устройства (ЗУ) информационной емкостью 4 Мбит с организацией 512Кх8 | КМОП КНИ | АО ЭНПО СПЭЛС | ОАО «НИИМЭ и Микрон» | 7И1(7С1)7И6(7И8)7И7(7С4) | I кв. 2016г |
3029 | 2В110 2В143 3В110 3В143 | образцы варикапов в корпусе КД-17 2В110Д3-НТ (Si) 3В110Д (GaAs) 2В143А1-НТ (Si) 3В143В (GaAs) | GaAs | АО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.Дубна | АО «НИИПП» | 7К11(7К12) | I кв. 2016г |
3028 | В73-474-521-1 5507БЦ5У-474 | Базовый матричный кристалл | КМОП (1 6 мкм) | АО ЭНПО СПЭЛС | НПК «Технологический центр МИЭТ» Россия | 7И6(7И8)7И7(7С4) | I кв. 2016г |
3027 | 1360ЕП3.3Т | ШИМ-преобразователь и 2 линейных регулятора и предназначенной для применения в импульсных источниках питания | КМОП | НИИП | ФГУП ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е.Седакова» | 7И1/7И7 | I кв. 2016г |
3026 | ППМ АФАР | приемо-передающие модули цифровой активной фазированной решетки 2 см- и 8 мм- диапазонов длин волн | Гибридная | АО ЭНПО СПЭЛС/НИИП | АО «НПП «Исток» им. Шокина» | 7И1/7И6(7И8)7И7 | I кв. 2016г |
3025 | ППМ АФАР | приемо-передающие модули цифровой активной фазированной решетки 2 см- и 8 мм- диапазонов длин волн | Гибридная | АО ЭНПО СПЭЛС | АО «НПП «Исток» им. Шокина» | ОИН | I кв. 2016г |
3024 | 5503БЦ7У-401 | набор цепочек инверторов и простейших логических схем | КМОП | АО ЭНПО СПЭЛС | НПК «Технологический центр» | 7И6(7И8)7И7(7С4) | I кв. 2016г |
3023 | 1382НУ015 | микросхемы интегрального магниторезистивного датчика тока | КМОП | АО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.Дубна | АО «ЗНТЦ» Россия | 7К9(7К10)7К11(7К12) | I кв. 2016г |
3022 | 1382НУ015 | микросхемы интегрального магниторезистивного датчика тока | КМОП | АО ЭНПО СПЭЛС | АО «ЗНТЦ» Россия | ОИН | I кв. 2016г |
3021 | 1391ЕУ015 | ШИМ-контроллер с управлением двухтактным инвертором | КМОП | АО ЭНПО СПЭЛС | ФГУП «ФНПЦ НИИИС» Россия | 7И1(7С1)7И6(7И8)7И7(7С4) | I кв. 2016г |
3020 | М55157 | приемно-усилительный модуль 2-х сантиметрового диапазона длин волн | Гибридная на основе GaAs СВЧ транзисторов | НИИП | ЗАО «Светлана-Электронприбор» | 7И1/7И6 | I кв. 2016г |
3019 | М55157 | приемно-усилительный модуль 2-х сантиметрового диапазона длин волн | Гибридная на основе GaAs СВЧ транзисторов | АО ЭНПО СПЭЛС | ЗАО «Светлана-Электронприбор». | ОИН | I кв. 2016г |
3018 | 5890ВМ1Т | Радиационно-стойкий RISC микропроцессор: 32 бита | КМОП КНИ | АО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.Дубна | ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН Россия | 7К11(7К12) | I кв. 2016г |
3017 | 2П829А | Мощный высоковольтный МДП транзистор | N-МДП | АО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.Дубна | ОАО «ОКБ «Искра» Россия | 7К11(7К12) | I кв. 2016г |
3016 | 5559ИН34Т | микросхемы 5559ИН34Т - кодера-декодера аналогового и импульсных логических сигналов | КМОП | АО ЭНПО СПЭЛС | ЗАО «ПКК Миландр» Россия | 7И6(7И8) | I кв. 2016г |