АО "ЭНПО СПЭЛС"

Изделия отечественного производства


SEARCH:
Display: ( Страница 3 из 159 )
ОбъектФункциональное назначениеЭТБИспытательная базаИзготовительФакторыСроки испытаний
3035М55157приемно-усилительный модуль 2-х сантиметрового диапазона длин волн обеспечивающий защиту входа приемника от синхронных и несинхронных сигналов мощностью до 12 кВт в импульсе с дополнительной регулировкой усиления в режиме приема.Гибридная технологии на основе GaAs СВЧ транзисторовАО ЭНПО СПЭЛС/НИИПЗАО «Светлана-Электронприбор»7И1I кв. 2016г
30345563ТХ024набор аналоговых IP блоков реализованных в тестовом кристаллеКМОПАО ЭНПО СПЭЛСОАО «НИИМЭ и Микрон»ОИНI кв. 2016г
30331375НМ024емкостные генераторы энергии (микрогенераторы)-АО ЭНПО СПЭЛС/НИИПАО «НЗПП с ОКБ» Россия7И6(7И8)7И7(7С4)I кв. 2016г
3032М55157приемно-усилительный модуль 2-х сантиметрового диапазона длин волнГибридная на основе GaAs СВЧ транзисторовНИИПЗАО «Светлана-Электронприбор»7И1/7И7I кв. 2016г
3031ППЗУ (ЭО)экспериментальные образцы запоминающего устройства (ЗУ) информационной емкостью 4 Мбит с организацией 512Кх8 (далее – ЭО ЗУ)КМОП КНИАО ЭНПО СПЭЛСОАО «НИИМЭ и Микрон»7И6(7И8)7И7I кв. 2016г
30301665РТ1Умикросхемы запоминающего устройства (ЗУ) информационной емкостью 4 Мбит с организацией 512Кх8КМОП КНИАО ЭНПО СПЭЛСОАО «НИИМЭ и Микрон»7И1(7С1)7И6(7И8)7И7(7С4)I кв. 2016г
30292В110 2В143 3В110 3В143образцы варикапов в корпусе КД-17 2В110Д3-НТ (Si) 3В110Д (GaAs) 2В143А1-НТ (Si) 3В143В (GaAs)GaAsАО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.ДубнаАО «НИИПП»7К11(7К12)I кв. 2016г
3028В73-474-521-1 5507БЦ5У-474Базовый матричный кристаллКМОП (1 6 мкм)АО ЭНПО СПЭЛСНПК «Технологический центр МИЭТ» Россия7И6(7И8)7И7(7С4)I кв. 2016г
30271360ЕП3.3ТШИМ-преобразователь и 2 линейных регулятора и предназначенной для применения в импульсных источниках питанияКМОПНИИПФГУП ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е.Седакова»7И1/7И7I кв. 2016г
3026ППМ АФАРприемо-передающие модули цифровой активной фазированной решетки 2 см- и 8 мм- диапазонов длин волнГибриднаяАО ЭНПО СПЭЛС/НИИПАО «НПП «Исток» им. Шокина»7И1/7И6(7И8)7И7I кв. 2016г
3025ППМ АФАРприемо-передающие модули цифровой активной фазированной решетки 2 см- и 8 мм- диапазонов длин волнГибриднаяАО ЭНПО СПЭЛСАО «НПП «Исток» им. Шокина»ОИНI кв. 2016г
30245503БЦ7У-401набор цепочек инверторов и простейших логических схемКМОПАО ЭНПО СПЭЛСНПК «Технологический центр»7И6(7И8)7И7(7С4)I кв. 2016г
30231382НУ015микросхемы интегрального магниторезистивного датчика токаКМОПАО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.ДубнаАО «ЗНТЦ» Россия7К9(7К10)7К11(7К12)I кв. 2016г
30221382НУ015микросхемы интегрального магниторезистивного датчика токаКМОПАО ЭНПО СПЭЛСАО «ЗНТЦ» РоссияОИНI кв. 2016г
30211391ЕУ015ШИМ-контроллер с управлением двухтактным инверторомКМОПАО ЭНПО СПЭЛСФГУП «ФНПЦ НИИИС» Россия7И1(7С1)7И6(7И8)7И7(7С4)I кв. 2016г
3020М55157приемно-усилительный модуль 2-х сантиметрового диапазона длин волнГибридная на основе GaAs СВЧ транзисторовНИИПЗАО «Светлана-Электронприбор»7И1/7И6I кв. 2016г
3019М55157приемно-усилительный модуль 2-х сантиметрового диапазона длин волнГибридная на основе GaAs СВЧ транзисторовАО ЭНПО СПЭЛСЗАО «Светлана-Электронприбор».ОИНI кв. 2016г
30185890ВМ1ТРадиационно-стойкий RISC микропроцессор: 32 битаКМОП КНИАО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.ДубнаФГУ ФНЦ НИИСИ РАН Россия7К11(7К12)I кв. 2016г
30172П829АМощный высоковольтный МДП транзисторN-МДПАО ЭНПО СПЭЛС / ЛЯР ОИЯИ г.ДубнаОАО «ОКБ «Искра» Россия7К11(7К12)I кв. 2016г
30165559ИН34Тмикросхемы 5559ИН34Т - кодера-декодера аналогового и импульсных логических сигналовКМОПАО ЭНПО СПЭЛСЗАО «ПКК Миландр» Россия7И6(7И8)I кв. 2016г
Навигация по сайту: Главная страница Изделия отечественного производства